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Ramtron International公司准备推出全球首款1Mb铁电随机存取存储器(FRAM),适合多种应用领域。这款1Mb FRAM采用0.35微米工艺技术,以128Kbx8结构提供,存取时间为55nm。该器件由Ramtron的代工合作伙伴—日本的富士通制造。该器件将于今年夏季开始出样品,预计其后三个月投入生产,该公司FRAM产品副总裁Michael Alwais表示。
FRAM是非易失性存储器,象RAM一样执行读写操作。据该公司称,它提供可靠的数据保持长达10年,消除了EEPROM及其它非易失性存储器引起的复杂性、超额费用和系统级可靠性问题。
然而,Ramtron似乎打算将1Mb器件用于取代SRAM。Alwais在electronicaUSA conference上表示,“它看起来像SRAM。我们也打算用之取代电池供电的SRAM。”
该产品代表了该公司的一项技术突破。目前,其最高密度的部件是256Kb FRAM,也基于0.35微米制造。
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