Synopsys公司日前宣布,已与中芯国际(SMIC)联合开发参考设计流程2.0版。中芯国际和Synopsys专业服务部在整个RTL到GDSII流程领域紧密合作。该流程建立在Synopsys Galaxy设计平台和中芯国际先进的0.13微米工艺的基础之上,不仅可满足0.13深亚微米设计的挑战,还可缩短产品上市时间和成品产出时间。
中芯国际-Synopsys参考设计流程2.0版的最新功能包括Synopsys的JupiterXT设计规划解决方案所具有的布局规划功能。尤为特别的是,该解决方案的电源网络综合(PNS)和电源网络分析(PNA)功能支持在布局规划阶段的进行电源规划。参考流程2.0版还具有先进的信号完整性(SI)和集成电路(IC)可靠性(IR/EM)分析功能,这些功能均采用了Synopsys Prime Time SI、Astro-Xtalk和Astro-Rail工具,主要针对电迁移(EM)所带来的挑战。后者通常导致电源网格中阻抗升高从而造成电压降(IR drop)或地电压上升(ground bounce)的增加。电迁移还将影响到时序和可靠性。最后,参考设计流程2.0版引入了电压降(IR-drop)分析,帮助用户分析时序、性能、功能和噪声抗扰性(noise immunity),并具有集成电路可靠性分析的特点,从而对平均故障间隔时间(MTBF)作出预测。
中芯国际营销部副总裁欧阳雄(Paul Ouyang)表示:“中芯国际自2004年初就开始为全球客户的批量生产提供0.13微米的CMOS工艺。参考设计流程2.0版为客户提供了针对高级布局规划、SI收敛以及IR/EM分析的全套成熟的设计方案,这对0.13微米的设计来说是至关重要的2.0版参考设计流程的开发建立在我们协作成功开发流程第一版的基础之上。我们希望在应用更先进的工艺时能与Synopsys保持一贯的合作关系。”
大唐微电子技术有限公司总经理赵纶说道:“中芯国际和Synopsys都是大唐微电子公司的核心技术合作伙伴。参考设计流程的新功能源自他们的精诚协作,我们的工程师可以利用该设计流程缩短设计的时间和成品产出时间。中芯国际提供完备的集成电路工艺,加上Synopsys的成熟设计方案,对于满足我们先进的设计需求而言是非常重要的。”
参考设计流程2.0版已可提供。
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