在2006年3月Asuka项目结束后,日本半导体行业计划发动一轮新的五年研发项目。新项目从2006年4月开始,研发重点放在45纳米和32纳米技术。
日本半导体工业协会(JSIA)是日本电子信息技术产业协会(JEITA)下属机构,包括11家日本主要半导体制造商。该组织一直在讨论新的研发计划,新计划基于由业界智囊机构日本半导体工业研究院(SIRIJ)于2004年6月提出的第二期SNCC建议。
新的研发计划包括Semiconductor Leading Edge Technologies Inc(Selete)的五年研发项目,每年投资100亿日元,探索45纳米和32纳米工艺。以及Semiconductor Technology Academic Research Center(STARC)的五年计划,每年投资50亿日元,用于开发DFM设计平台。
目前,在日本Tsukuba的超洁净实验室,由日本业界赞助的Asuka项目和国家承担的Mirai项目正在进行中。但是,两个项目之间没有进行协调。为了更好的结合日本产业界、学术界和国家的力量,Selete项目总裁将会统一领导在Tsukuba进行的研发项目。
除11名成员外,Selete还选择了4家核心公司,包括富士通、NEC电子、瑞萨和东芝。在前端处理过程方面,这4家公司将会领导三个计划,后端处理过程、EUV光刻技术和掩膜工艺。瑞萨公司总裁兼首席执行官,同时也是JSIA的主席的Satoru Ito表示,“核心公司需要在技术方面起领头作用,并且驱动技术发展。”
据悉,前端工艺过程的项目将着重于实际使用的金属门/高k材料,而后端处理过程项目将着重于低k材料。
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