日前在美国旧金山举行的国际电子元器件会议(IEDM)上,特许半导体(Chartered Semiconductor)、IBM、英飞凌(Infineon)和三星(Samsung)纷纷介绍了其65nm工艺,据称这种工艺比先前工艺的性能高出35%。
不久前,IBM公司与AMD、特许半导体、英飞凌和三星分别签署了代工和技术合约。IBM是此联盟中的领先技术提供方,它已公布了其90nm工艺。现在IBM与其合作方显然又推出了65nm技术。
据IEDM上的论文介绍,65nm工艺包括两个平台:基础平台和低功耗平台。其应用包括逻辑器件、SRAM、混合信号和嵌入式存储器件。这些公司宣称,采用这一技术,SRAM单元的尺寸可做到0.51～0.682。这一工艺据称可提供多达10个互联级别和9个铜线级别。它扩展了IBM 90nm工艺中的低K绝缘,它基于专利的碳掺杂氧化材料,并采用Applied Materials公司的CVD工具沉淀而成。
65nm技术还采用了一种12.5埃等离子氮氧化门。论文称,它具有0.5nA～50nA的较宽的关断状态漏电流范围。“而且在这项技术中,我们还提供了附加的低漏电选项用于低功耗器件,门级漏电流小于30 pA/μm,GDIL低于10 pA/μm。”
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