日本东芝公司(Toshiba)日前宣布,一种被命名为DTMOS的新式功率MOSFET,由于采用最新的超结合技术,DTMOS的导通电阻(RDSon)仅相当于传统的MOSFET的40%左右,可降低功耗。在采用这项技术的系列产品中第一个产品是0TK15A60S,它的市场定位于电视机电源、家用电器、交流电适配器、照明镇流器。
由于拥有垂直通道,超结合技术结构可以允许电流在硅衬底顺利流通,降低了导通电阻,突破了硅晶体理论极限。在应用超结合技术结构和优化设备的基础上,在同系列的东芝DTMOS设备,导通状态电阻可降低60%的电力消耗,并且与东芝传统的MOSFET相比,RDSon的闸极电荷(Qg)减少40%。因此,RDSon x Qg(a)最显著的特征就是其MOSFET性能指标(数值越低越好)仅是公司传统的MOSFET的四分之一。
随着这项最新技术的宣布,东芝公司把超结合技术结构与公司独创的深蚀刻技术开发的MOSFET (DTMOS)结合起来。这两项技术的结合在市场上还是首次应用。在采用这项技术的系列产品中第一个产品叫做TK15A60S,最高技术性能为:电流15安培、600伏特,电阻0.3欧姆,样品于2005年3月面世。
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