KLA-Tencor公司日前正式推出业界最新的覆盖计量解决方案——Archer AIM++系统,该系统专门用于满足芯片制造商对65纳米节点以下的光刻覆盖控制要求。Archer AIM+基于作为业界基准的Archer加工平台,与KLA-Tencor的上一代Archer AIM系统相比,覆盖计量性能的关键指标——总的测量不确定性(TMU)降低了50%,同时加工生产能力提高了20%。目前,Archer AIM+正在由领先的存储和逻辑器件制造商进行高级应用评估,并且几家尖端晶片代工厂已将其选择作为光刻加工工具。
Micron公司位于美国爱达荷州博伊斯的第4代工厂开发计量分部经理Chris Bishop表示:“KLA-Tencor的Archer AIM+在性能方面较过去的平台具有重大的改进,具备两或三代的生产持续能力。”
Archer AIM+与其前身相同,也采用了KLA-Tencor独有的光栅式对象,与box-in-box 式对象相比,光栅式对象的开口更小,因此由化学机械平面工艺(CMP)处理所引起的对象退化也更少,从而使其具备更强的鲁棒性。并且,AIM的对象密度要大于传统的box-in-box式对象密度,这样就可以收集更多的工艺过程信息,进而改善器件内叠对性能的相关性。对于希望使用传统box式对象的客户,KLA-Tencor也提供了Archer XT+系统,其中包含与Archer AIM+相同的核心性能改进,并保持与box-in-box式对象测量方法式兼容。
不断涌现的分辨率增强技术(RET)以及严格的设计标准,要求减小覆盖处理窗口,从而获得更大的产量。越来越严格的工艺公差,也促使覆盖测量工具必须具有改进的TMU性能等级,而TMU正是测量精度、工具偏移的可变性和匹配性的衡量指标。同时,还要求每个器件的临界层数超过每个新节点的两倍。因此,要保持这些小型设计标准中的严格工艺控制,必须增加覆盖取样,并要求计量工具具有更高的生产能力和改进的稳定性与可靠性,以克服晶片生产流程中增加取样次数所带来的影响。
Archer AIM+采用最新的光学系统设计和改进的照明系统,将TMU降低至2.1纳米以下,超出了《国际半导体技术蓝图》2004版中提出的45纳米节点的覆盖控制要求。系统还加入新的软件算法以实现在低对比度和后CMP层上的高精确测量,而这在采用传统的覆盖控制技术进行测量时是非常困难的。其它方面的改进包括,采用运行Windows XP操作系统的更加快速和先进的计算机,以及新型晶片处理工具和优化算法等。与Archer AIM相比,Archer AIM+系统的生产能力提高了20%(达180晶片/小时),同时测量所需步数(MAM)减少了20%。这些产品改进使该测量技术方案成为半导体制造应用领域中总拥有成本(CoO)最低的解决方案。
KLA-Tencor光学测量部总经理Ofer Greenberger表示:“由于我们的客户面临着不断增加的成本和上市时间压力,因此,拥有不仅满足其当前生产要求,还能解决未来的技术要求的制造解决方案是十分关键的。”“我们致力于使我们的工艺控制解决方案,如Archer测量技术平台,具有较高可扩展性,这样客户就能够在设备换代的同时,持续满足其高性能和低总拥有成本的生产要求。”
Archer AIM+和Archer XT+均基于KLA-Tencor的Archer平台,Archer是一套成熟的并经过业界认可的平台,已被广泛应用于全球领先逻辑和存储芯片代工厂的200多个系统中。这两种系统都与KLA-Tencor的全自动、实时加工步进器分析软件Archer Analyzer相兼容,该软件能提供包括晶片批排列、步进器校准和问题检修的分析结果在内的重要反馈信息。客户可将他们当前的Archer AIM系统升级到新的Archer AIM+平台,以及将Archer XT系统升级到新的Archer XT+平台。
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