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Staccato Communications公司日前声称成功演示了第一片符合多带宽OFDM联盟物理层规范的单芯片全CMOS超宽带射频芯片。该芯片由RF前端和基带处理组成,定于2005年一季度末推出样品。
“这是第三次出带(tapeout),”Staccato公司市场总监Mark Bowles表示。尽管该芯片还没有完全进行性能和功耗特征化,Bowles称其已达到480Mbps短距离室内测试。
Farpoint Group负责人Craig Mathias表示,“这对市场来说是个大买卖。”Mathias尤其对全CMOS设计及其潜在低功率实现感兴趣。迄今为止,MBOA会员Wisair公司和Alereon公司公布的芯片及演示及直接序列超宽带为主的飞思卡尔半导体公司,都具有集成硅锗的前端。他称,Staccato芯片的高数据率能进一步节省无线USB设备如照相机和便携式设备等的功耗。
该公司的下一步是推出开发平台的样品,预计到第一季度末推出。该公司认为其规范性能超越飞思卡尔领导的DS-UWB阵营。
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