|
|
摩托罗拉日前表示,已向霍尼韦尔公司(Honeywell Inc.)提供MRAM非易失性内存芯片技术的使用许可。据称,这项协议预计将增强霍尼韦尔为军事和航天应用开发抗辐射(radiation-hardened)MRAM的能力。
霍尼韦尔计划把摩托罗拉的MRAM内存元件与它的抗辐射绝缘硅技术相结合。霍尼韦尔希望开发一种内存芯片,能够在卫星和军事应用等严酷的运行环境中提供数据稳定性。
“摩托罗拉的MRAM与霍尼韦尔的绝缘硅抗辐射工艺相结合,将会产生新型的具有革命性的芯片,使数据存储得到改善。”霍尼韦尔的精密传感器与元件事业副总裁Eric Doremus表示。
ABB以电气问题解决专家之志，回答未来之问。讲述与中国用户携手开拓创新、引领行业发展、推动绿色转型的合作故事，共同谱写安全、智慧和可持续的电气化未来。
12月18日，《AVEVA InTouch Unlimited重塑HMI/SCADA的无限可能》在线研讨会即将开播。
为助力广大电子半导体企业洞悉行业数智化发展趋势，并提供切实可行、可靠的解决方案，推动整个行业繁荣发展，剑维软件的专家团队
微信扫一扫，关注IIANews公众号
微信扫一扫，进入IIANews微网
京公网安备 11011202001138号
