芯片制造设备供应商应用材料公司(Applied Materials),Cadence和光刻设备供应商佳能公司合作,将采用“对角线”金属化和65纳米工艺技术制造出一款芯片,X Initiative最近在美国加州Santa Clara举行的SPIE光刻会议上表示。
X Initiative是一家半导体供应链协会,负责推广在IC互连中使用对角线45度布线及传统的南北、东西曼哈顿风格布线。据该协会称,这种设计风格能使通孔更少,减少裸片面积,并改进性能。
该项目的工作是在Applied设于加州Sunnyvale的Maydan技术中心完成的,该互连测试芯片论证了面向先进铜/低K芯片的X结构设计采用现有工艺技术的可制造性,X Initiative表示。
Cadence为该项目提供了测试结构设计和芯片验证工具,佳能为晶圆光刻提供了ArF(197nm波长)成像系统,应用材料公司采用其互连加工技术在300mm晶圆上制造了多层铜/低K互连。
最近在SPIE上还将公布两篇论文,提供关于90纳米和65纳米测试芯片制造的更多细节。论文题为:“在90纳米技术节点X结构的可制造性”与“将X结构带入65纳米技术节点”。
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