意法半导体(STMicroelectronics)公司副总裁兼存储产品部总经理Carlo Bozotti表示,相变化内存(Ovonic Unified Memory, OUM)技术已在该公司进入产品研究阶段。OUM是一种非易失性存储技术。
“我们正在抓紧研究硫族(元素)化物内存。”Bozotti表示。“我们本季度将开始设计一种实际的产品。它基于CMOS工艺,所以也适合嵌入式应用。”
目前,英特尔和意法半导体都在研究OUM存储技术,试图利用硫族金属化物中无定形状态和晶体状态的可逆相变效应存储数据,典型的化合物包括碲化锑和碲化锗。
Energy Conversion Devices Inc.(ECD)对该项技术已研究了几十年。Ovonyx是ECD的全资子公司,该子公司成立的初衷就是与英特尔和意法半导体合作研究OUM。
意法半导体将与Ovonyx在6月15-19日召开的VLSI Technology and Circuits Symposia研讨会上提交一篇论文,展示其部分研究成果。Bozotti预计设计阶段在2004年下半年可以完成,2005年可能会提供工程样品。
“仍然需要进行大量的可靠性测试和耐久性检验,但研究工作正在进入一个新的阶段。”Bozotti表示。
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