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易于集成到设计流程内的工艺模型开发是帮助半导体业战胜DFM(可制造性设计)挑战的最重要一步,这是日前参与一项技术研讨会的业内高层人士所发表的看法。
德州仪器(Texas Instruments)刻线增强技术经理Mark Mason警告说,“固守以往的业务模式”将不再适用于45纳米技术节点,需要重大变革以帮助行业持续技术微缩。“DFM将成为45纳米节点的激活器。如果你没有它,你就无法生产出硅片。” Mason表示。
此外,参与研讨会的其他人士一致认同,沟通和紧密协作绝对是战胜DFM挑战的必要因素。Photronics公司副总裁兼首席技术官Christopher Progler表示,光掩膜供应商、EDA供应商和设备提供商之间必须达成真正的合作关系,以推动下一代DFM技术。
Synopsys硅工程部研发分部总监Dipu Pramanik表示,要战胜DFM挑战,EDA工业需要研制出更完整捕获物理的工具,以及在技术开发初期就加强工艺开发和设计之间的对话。最重要的是行业需要创建一个共享制造和设计之间针对工艺可变性的关键信息的框架,无须双方纠缠于知识产权问题。
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