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下一代光刻技术谁主沉浮?沉浸及纳米压印最有希望

  2004年11月22日  

位于美国德州Austin的Lux Research日前发布一份报告称,两大新蚀刻技术——沉浸(Immersion)及纳米压印(nano-imprint)预计将及时地做好准备,在当前工具气数耗尽之后,可支撑起芯片业的性能曲线。

与对这两种技术信心十足形成对比的是,这篇题为《光学光刻(Optical lithography)的最后阵地》的报告对甚超紫外光(EUV)光刻技术的未来生存机会则不太确定。

为了这个报告,Lux Research构造了一个评估工具,就潜在影响及开发水平对十大相互竞争的光刻平台进行了评比。该报告发现:

1)193纳米液体沉浸蚀刻将于2007年得到应用,将被作为2011年之前突破性能极限之前的权宜之计;

2)米压印蚀刻凭借其技术优势、逐步升温的研究活动及针对技术挑战的可行性,看起来最适合作为2011年之后的长期解决方案‘

3)EUV是IBM及英特尔等巨头已耗时很久的研究课题,但没有证据显示其具有生存能力。

但Lux Research高级合作人Will Arora指出,尽管纳米光刻技术前途无量,但也存在不少挑战。他表示:“纳米光刻技术的五家工具制造商EVG Molecular Imprints、Nanonex、Obducat和SUSS MicroTek需要组建一个联盟,为其共同兴趣发力,反击主要芯片制造商的怀疑言论。”


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