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英特尔:晶圆面积补偿了90纳米的工艺成本

  2004年02月17日  

在日前举行的Globalpress处理器技术峰会上,英特尔公司加州技术和制造中心副总裁兼主管Edward So表示,300毫米晶圆由于表面面积更大,将会补偿加工复杂性和90纳米节点工艺的高成本。

他指出,分析师经常把注意力放在新建晶圆厂的昂贵费用上,而没有意识到“晶圆面积增加补偿了处理工艺的复杂性”。

90纳米、65纳米和45纳米CMOS处理工艺,是这次EE Times总编Brian Fuller主持的峰会上讨论的重点。与会者拒绝揣测哪家公司90纳米处理工艺月产能起点就是5,000或10,000片晶圆。

然而,德州仪器副总裁Julie England证实说,绝大部分公司的90纳米新工艺的开始产量过大,她表示德州仪器公司的开始阶段,90纳米晶圆月产能起点为每月1,000到5,000片。

现在,许多公司的65纳米处理工艺正在试生产阶段,45纳米工艺也已经摆上议事日程。应用材料公司前端工具首席技术官Gregg Higashi表示,主要的半导体厂商已经开始在45纳米工艺上投资进行研发。

另外,主题演讲人索尼公司高级咨询顾问Tsugio Makimoto谈到,机器人技术将会带来“第四波”推动IC设计的技术浪潮。


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