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英特尔去年首次演示了连续波硅激光,但这种新激光产生过多热量,对CMOS器件应用不实际。加州大学(UCLA)研究人员如今声称拥有了解决方案:用光电效应利用额外的热能,将热转换成电能为芯片供电。
研究人员报告说研制出一种脉冲硅激光,可在角逐中胜英特尔一筹。但这种激光不能连续工作,因为它会产生额外的热电子。2005年,英特尔开发出一种用于沉没热电子的技术,为首个连续波硅激光扫清了道路,但首个版本不能利用过剩能量。
UCLA称,他们此次又一次超越了英特尔,向业界展示了如何将Raman散射结构应用于CMOS器件,以利用自热电子而来的过剩能量产生动力。Raman散射装置回避了硅的间接能带隙,这种间接能带隙会阻止正常激光发射。Raman散射通过双光子吸收进行运作,过程中会产生热电子,以及随之而来的额外热能。
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