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初创公司Nantero明年计划推出其第一个产品——基于碳纳米管技术的下一代非易失性存储器的“工作样品”。在Semico Research公司的Impact研讨会上,Nantero战略市场副总裁Avo Kanadjian表示,该公司到2005年将首先推出1Mb器件。Kanadjian在演示中说,“一旦我们有完整的功能样品,我们将有能力实现量产。”
Nantero采用碳纳米管开发下一代半导体器件。目前正在研制的是高密度非易失性随机存储器NRAM。LSI Logic将与Nantero合作,基于在CMOS内集成碳纳米管来开发半导体工艺技术。双方已在LSI Logic设于美国俄勒冈州Gresham的制造园开始了一项合作研发项目。
Nantero是目前开发下一代存储技术的几家公司之一,但这些产品取代当前的闪存器件还不太可能,至少在短期内。
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