|
|
英特尔公司日前表示,已在其晶圆研发生产厂采用Exitech公司的深超紫外线(EUV)微曝光工具。该工具采用13.5nm EUV光,能曝光30nm隔离线,英特尔将用其论证EUV光阻和掩膜。
英特尔计划在32nm节点采用EUV方法,该节点工艺将于2009年投入批量生产。该工具在英特尔RP1(research and pathfinding)fab的安装,将EUV引入大批量生产前的“path-finding”阶段,主管制造和技术的英特尔高级副总裁Sunlin Chou表示。
EUV蚀刻根本上与当今的光栅扫描器相异,后者工作在周围环境下,采用塑料薄膜保护掩膜及微粒。EUV辐射被所有材料吸收,必须工作在真空环境下,不需采用塑料薄膜。
采用德国Carl Zeiss AG 公司制造的反射光部件而不是折射光,通过精确涂敷的2片镜片和40层硅片及钼来反射EUV波长,13.5nm光直接照射到晶圆上。而以往商用工具需要6片微镜。
ABB以电气问题解决专家之志，回答未来之问。讲述与中国用户携手开拓创新、引领行业发展、推动绿色转型的合作故事，共同谱写安全、智慧和可持续的电气化未来。
12月24日上午10点，研祥周三购小程序IPC-310准系统低至三位数！
此活动每月定期举办一次，于其中一个周三的上午10点至11点限时开启。在此期间，研祥旗下多款经典爆款产品，包括高性能工业计
微信扫一扫，关注IIANews公众号
微信扫一扫，进入IIANews微网
京公网安备 11011202001138号
