飞利浦日前宣布在LDMOS技术方面取得突破,其采用先进的半导体工艺实现了具有面向W-CDMA独一无二特性的射频功率晶体管,可加速3G网络的发展。
飞利浦电子公司(Philips Electronics)日前宣布在LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体,Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)技术上取得突破,其采用先进的半导体工艺制造出独特的射频功率晶体管,可以降低3G蜂窝基站的复杂程度和运行费用,而同时提高其性能及可靠性。
据了解,采用该公司新开发的第四代LDMOS技术制造的射频功率晶体管与现有的LDMOS器件相比,具有更高的增益和更高的工作效率。因此,射频功率放大器可以采用较少的增益级,节省了工作电能。这些新的晶体管即使在大功率情况下也具有非常好的线性度,意味着完全可以满足多载波W-CDMA和GSM EDGE基站放大器对超低畸变的要求。
飞利浦表示,其新的0.6 μm LDMOS技术将射频晶体管的性能提高到了一个全新的水平,将功率密度提高了50%,比W-CDMA的效率要高6%到8%,比以前0.8 μm技术的功率增益要高2 db。
首款射频功率晶体管BLF4G22-100将于2003年第四季度开始生产样品,2004年第一季度准备量产。
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