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日本东芝(Toshiba)与NEC日前在国际电子器件大会(IEDM)上宣布在研制磁阻随机存取存储器(MRAM)的进程中取得关键进展。MRAM技术被视为开发未来高性能移动设备的关键,这两家日本公司于2002年开始在该技术上展开合作。
两家公司还公布了一项新型单元(Cell)设计,使数据写入的功率消耗减少一半,并减少了写入错误。此外,双方还宣布了一种带高速特征和支持高密度器件开发性能的新型MRAM结构。
MRAM的特性是快速读写、高密度、无限耐久性和非易失性——断电后还能保持数据。尽管MRAM显示出了应用于移动信息设备的极大潜力,在商业化应用变为现实之前,单元尺寸和功耗必须降低,同时不能牺牲运行速度。NEC和东芝公布的研究进展据称将其向前推进了一大步。
双方通过开发用于单元(Cell)信息存储的新型磁性隧道结(MTJ)减少了写入电流。MTJ形状类似于标准四方型,但在两端较长边的中间有一些弧度。这种新设计能使写入电流比当今的MRAM减少一半。
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