Spansion公司最近宣布,它已经开始为首批客户提供数百片基于第二代110纳米MirrorBit技术的工程样品,预计将于今年第三季度正式投产。
Spansion公司宣称,针对1.8伏无线设计的需求进行了优化的第二代MirrorBit技术可以支持NOR闪存技术中最广泛的功能应用和最高的密度,提供同时读写功能、一个高存储速度的脉冲模式接口、先进的扇区保护功能和极低的功耗。
“第二代MirrorBit技术将让我们的客户可以摆脱多级单元(MLC)浮门技术在性价比方面的限制”, Spansion公司的总裁兼首席执行官Bertrand Cambou解释说,“在2001年才面世的MirrorBit技术只用了三年时间和两代产品的发展,就超越了与之竞争的MLC浮门解决方案用七年时间和四代产品才实现的成就。”
据介绍,为了在性价比方面保持领先,MirrorBit技术进行了一些改进:对于高密度的128到512Mb芯片,MirroBit的产出率可比MLC浮门技术高30%,因而可以大幅度改善单立的和多层堆叠产品的成本结构；
减少40%的关键掩模层,从而可以在制造流程中降低对缺陷的敏感性,提高最终产品的质量；由于采用了精简的制造流程,工厂生产速度可以提高10%。
基于第二代MirrorBit技术的闪存解决方案将由AMD和富士通公司向客户提供,应用领域包括移动电话、掌上电脑、数码相机、服务器、电视机顶盒、打印机、网络和电信设备、游戏系统和导航设备。
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