存储器市场风起云涌, 美光携强援加入NAND战局

作者:陈佳

美光科技(Micron Technologies)在本届IIC上展出了NAND闪存和新的针对不同应用市场的DRAM存储器。记者在IIC上走访了美光科技的NAND闪存事业部和DRAM部门的高层,了解美光科技在存储器领域的技术和发展方向。

美光科技和英特尔去年底合资成立了IM Flash Technology LLC。美光和英特尔三年内将对IM Flash Technology LLC共同投资52亿美元。新的合资公司专注于NAND闪存的研发和制造。新公司中美光科技占51%的股份,英特尔占49%的股份。美光科技最近又收购了知名的存储卡生产商Lexar(雷克沙),表明了美光加强NAND闪存业务的决心。

IM Flash Technology LLC将结合美光和英特尔在NAND业务上相关的生产技术与资产,主要采用美光在NAND技术上的开发经验以及高效率的生产设备,以及Intel的多级单元(MLC)技术来共同发展NAND闪存业务。

IM Flash Technology LLC计划在今后三年内成立3个300mm FAB,专门制造NAND闪存。生产工艺从现有的90nm,逐渐向72nm和55nm过渡。目前NAND闪存在美光科技的总部所在地Boise生产。美光的NAND Flash采用了SLC和MLC技术。现在能够提供的闪存容量从2Gb到8Gb,未来将向更大容量迈进。

如今手机中的应用处理器中很多都已经集成了NAND Flash接口,所以NAND Flash在手机中的使用会逐渐增多。在手机中通过NAND Flash配合DRAM的方式,进行代码映射操作。随着今后3G手机和智能手机操作系统和应用程序的体积不断增大,NAND Flash的使用会越来越多。

NAND Flash除了在数码产品中使用外,今后还可能会在桌面PC中得到使用,以部分的取代硬盘的功能。相比硬盘来说,NAND Flash具有更好的可靠性、省电特性以及高得多的速度。今后NAND Flash在PC中的使用,可能会作为储存操作系统的存储器使用,这样启动速度比起传统的硬盘会有质的提高。

DRAM方面,针对通信和存储市场,美光科技新推出了RLDRAM II。相对于以前使用的SDRAM,RLDRAM II具备很低的延迟,更高的带宽和更高的性能。RLDRAM II的tRC从DDR的45ns下降到15ns,因此相比DDR具有更高的读/写性能。相比SRAM,RLDRAM II的成本更低,容量大大增加。RLDRAM II的供电电压为1.5V-1.8V,频率从400MHz到533MHz,带宽为4Gbps。为了支持通信所需要的ECC功能,总线宽度为9位/18位/36位。RLDRAM II今后的使用量会稳定增长,到目前为止增长速度要比美光原来预期的快。

美光科技针对手机市场推出了Cellular RAM用以取代SRAM,Cellular RAM利用了DRAM的技术,但是保留了SRAM的接口。提供了比SRAM更高的密度和更低的成本,同时功耗维持在SRAM相近的水平。

美光科技的DDR2产量现在已经几乎超过DDR,工作频率达到400MHz,带宽为800Mbps。新的DDR3的速度会更高,频率将从400MHz起步,一直到833MHz。DDR3与DDR2延迟相近,但是速度和带宽显著提高。DDR3的供电电压为1.5V, 相比DDR2具有更低的功耗。DDR3会在2007年下半年逐渐进入高端的桌面PC和高性能服务器市场。