中芯国际与Saifun半导体日前共同宣布,中芯国际将采用Saifun的NROM技术研发生产闪存存储卡。
Saifun的NROM技术在非易失内存技术领域是一个突破。NROM技术将存储能力提高到每个基本存储单元四字节,是一般基本存储单元的两倍多。不仅如此,NROM技术简化了存储单元的器件模型,减少了生产步骤,降低了生产成本。
“中芯国际认为闪存存储卡市场对于我们未来的发展而言是一个重要的驱动力,”中芯国际首席营运官Marco Mora表示,“在双方签署的第二份协议中,我们很高兴能将SAIFUN先进的技术和中芯国际的高容量存储卡产品结合在一起。我们将根据我们的核心优势积极关注产品的主要分销渠道。中芯国际确信:SAIFUN领先的存储器技术加上中芯国际强大的生产优势会给市场带来一流的产品。”
“我们很高兴中芯国际将我们的合作关系拓展到存储卡市场,”SAIFUN半导体公司总裁Kobi Rozengarten先生表示,“自从我们今年六月签定第一份技术转让协议以来,双方紧密合作,致力于为数字产品市场研发领先于市场的,基于NROM双字节和四字节技术的闪存存储器产品。随着市场对高容量卡产品的需求不断扩大,中芯国际先进的生产经验和SAIFUN创造性的NROM技术的结合,必将给双方公司带来更多的成长机会。”
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