英特尔CPU 7月惊现“跳楼价”,买家观望DRAM将受牵连

市调机构DRAMeXchange针对全球内存市场发表最新报告指出,目前无论DDR或DDR2需求皆呈现疲软现象,主因在于英特尔(Intel)预告CPU 7月份将大降价,所有买家都在等待降价造成PC市场需求递延。此外上周NAND Flash现货市场买气平淡,各规格产品价格均下跌,其中2Gb和16Gb的跌幅最大。

根据DRAMeXchange的DXI指数(DRAMeXchange Index)反映,DDR2价格走跌,指数由上周3339小幅下跌至3323。现货市场方面,在模块厂及通路商手中均备有DDR库存状况下,DDR价格微幅走跌。DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz价格小跌至2.39美元,DDR 512Mb (64Mb*8) 400MHz,价格小跌至4.84美元。

至于DDR eTT部份,DRAMeXchange表示,上周在力晶(PowerChip)公布官价之后,价格随即开始走跌,DDR 256Mb eTT价格由2.37美元下跌至2.35美元。DDR2部分,随着几家台系厂商DDR2比例增加,DDR2价格下跌压力开始浮现,DDR2 533MHz 512Mb (64Mb*8)价格下跌至4.73美元。DDR2 512Mb 64Mx8 eTT (UTT)价格则下跌在3.66美元。

在合约市场部分,6月下旬DRAM合约价格普遍已有下滑现象,DDR模块部分,尽管DDR仍处于供给吃紧状态,但是在PC OEM厂持续杀价压力下,DDR价格已出现松动。至于DDR2模块部分,价格平均下跌4~5%。

DRAMeXchange指出,从市场供需分析,目前无论是DDR或DDR2需求均十分疲弱,主要原因在于Intel 预告CPU 7月份将大降价,所有买家都在等待降价造成PC市场需求递延。而在供给方面,由于6月底为半年报的结算时间,因此DRAM厂为了使账面库存减少,只要价格在可以接受的水平,将努力出清库存,因此6月下旬DRAM价格出现明显下跌。

虽然目前市场需求因Intel CPU降价而递延,预计8月以后市场需求将逐渐回笼,届时DRAM价格也才会有比较好的表现。但DRAMeXchange亦表示,是从历史经验来看,DRAM价格的决定往往是决定于供给端变化,因此除非DRAM厂制程出问题影响供给,否则第三季DRAM价格旺季走势上涨空间也是有限。

在NAND Flash部分,DRAMeXchange表示,整体而言上周其现货市场买气十分平淡,主要原因在于各下游厂商五月下旬所订的货,在六月的前两周都有准时到货。基于这个因素,多数下游厂商目前的NAND Flash库存水位都还足够,并不急于此时进入现货市场买货,因此造成现货市场需求端方面的买气普遍平淡。

在供给端方面,Hynix的4Gb产品价格目前在现货市场上与三星(Samsung)的4Gb产品价格有一段落差,使得许多在现货市场想要购买Samsung产品的买家,都在观望Samsung的现货价格能否持续下调。也因此,上周Hynix的MLC产品现货价格普遍持稳,且市场需求量相对于SLC产品来说较大。

DRAMeXchange表示,:Hynix与Samsung在4Gb这个等级的产品价格会产生落差,一方面是Hynix采用MLC制程,而Samsung的MLC制程并没有4Gb这个等级的产品；另一方面Hynix目前的MLC技术尚未完全成熟,客户仍有疑虑存在,因此在现货市场上Hynix的MLC产品价格与Samsung的MLC产品价格会产生一段落差,这种情形在8Gb的现货市场也可以看到。

此外由于目前正值世界杯足球赛期间,欧洲和南美洲的NAND Flash现货交易市场几乎呈现半停顿状态,也是造成上周现货市场需求普偏低落的主因之一。