英特尔公司技术和制造部副总裁Stefan Lai表示,EPROM隧道氧化物(ETOX)和NAND两种形式的闪存作为关键主流非易失性存储器仍然具有超过5年的生命力,但竞逐的焦点集中到寻找能够微缩到亚45纳米制造工艺的存储器技术上。
Lai最近在一个纳米技术论坛上发言称,相变存储器(phase-change memory)和铁电聚合物存储器器件(ferroelectric polymer memory)更有可能成为下一代非易失性存储器,而磁性和铁电RAM的机会可能较小。
但Lai也指出,所谓基于原子分辨率探针的寻找并扫描(seek-and-scan)存储器有望最终超越所有光刻定义的存储器,包括聚合物及相变式器件。
Lai是1982年加盟英特尔的,他参与发明了EPROM隧道氧化物(ETOX)闪存单元,几乎管理了英特尔公司每一代闪存的开发工作。他表示有希望获得65纳米和45纳米制造工艺技术的闪存。
他介绍道,英特尔目前正在开发第八代ETOX闪存,并成功地实现了每一代都能缩小50%单元尺寸的目标。但他也承认NOR类型的闪存无法在单元面积上与NAND相抗衡。
他转而提及新型的存储技术,包括英特尔存有兴趣的硫族(chalcogenide)材料相变存储器和聚合物铁电存储器。
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