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IBM“冰冻芯片”突破速度记录

  2006年06月28日  

IBM公司与佐治亚理工学院日前宣称打破了硅速度记录,部分归功于“冰冻芯片”。双方进行的实验称,已论证了首款基于硅的芯片,通过将电路“冰冻”在零下451华氏温度,能在500GHz以上的频率工作,比当今手机通常约2GHz的频率快250多倍。

该项实验是一个项目的一部分,该项目是探索硅锗(SiGe)器件的终级速度,据称能在冷温下工作更快。

超高频率SiGe电路在商用通信系统、军用电子、宇宙和遥感等领域有潜在应用。该研究有望研制出新型的功能强大、低能耗芯片,将未来应用诸如HDTV和电影质量的视频传送到手机、汽车和其它设备上。

研究使用的芯片来自IBM 200mm晶圆加工的第四代SiGe技术原型。室温下,这些电路工作频率大约为350GHz。

IBM系统及技术分部副总裁兼首席技术官Bernie Meyerson表示:“双方的合作研究重新定义了硅基半导体的性能极限。”

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