东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Components)及其母公司东芝公司日前宣布推出4GB单芯片多级单元(single-die MLC) NAND闪存。东芝还宣布推出8GB闪存集成电路(TH58NVG3D4BFT00)。这种集成电路将两个4GB闪存堆叠在同一个封装中。
据介绍,这种采用90纳米处理技术制造的芯片容量是东芝目前最大的单芯片 NAND闪存的两倍,它通过实行先进的设计理念和调整存储单元的控制系统,实现了更快的写入性能。这种4GB NAND闪存的样品—TC58NVG2D4BFT00将于4月面市,单价为113美元,每月30万片的大规模生产有望于2004年第三季度开始。
而8GB产品通过在单个薄型小尺寸封装(TSOP, Thin Small Outline Package) 内堆叠新型4GB NAND闪存而成。此外,东芝计划在2004年第三季度推出一款16GB NAND闪存集成电路样品。这种集成电路将在单个封装中堆叠4个4GB NAND 闪存。
NAND闪存可提供高密度非挥发性的数据保存,因而被广泛应用于闪存卡和作为数码相机、PDA和多功能手机等数字消费产品的内置存储器。随着新产品的推出,东芝NAND闪存系列产品将包括从128MB到8GB(堆叠型)的产品。
京公网安备 11011202001138号
