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由IBM公司Thomas J. Watson研究中心开发的新型无机半导体薄膜旋涂工艺有可能将基于薄膜晶体管技术(TFT)的电子学引入到一个新阶段。
该工艺的新颖之处在于采用了一种催化剂生成非常能够薄50纳米化合物薄膜,充当TFT的沟道。这项高产出率的旋涂工艺面向有机TFT开发,但有机物的迁移率本质上比无机半导体要小。
尽管由于原子之间的结合弱而易于在低温下溶解,有机半导体的电子性能仍然略逊一筹。硫族化合物薄膜的电子迁移率比有机物高出10倍,通常结构上更为结实。
无机半导体薄膜可通过化学汽相沉积或真空沉积生成,但需要高温衬底。项目主导研究人员David Mitzi表示,“无机化合物的强结合力使其很难溶于溶液中,因此我们开始寻找一些间接的方案。”
首先采用的方法是试图寻找能溶解于有机溶液中的有机/无机合成物。硫族化合物由锡、硫磺和硒构成,但还未在半导体技术领域扮演重要角色。然而,Mitzi表示,新硫化物能与多种催化剂和材料作用。
后来二阶段无机工艺方法实现了突破性的进展。一种被称为肼(hydrazine)的新型且反应强的有机化合物产生了带锡、硫磺和硒的过渡性化合物。
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