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2004年国际可靠性物理座谈会(2004 International Reliability Physics Symposium)定于4月25~29日在凤凰城(Phoenix)召开,将探讨半导体行业在转向基于新材料类型的多门逻辑器件和存储器时,所面临的可靠性问题。
德州仪器公司首席技术官Hans Stork将在4月27日全席讨论会上,发表关于亚100纳米系统级芯片器件可靠性挑战的主题演讲。
随后,IBM公司卓有声望的氧化物研究专家Jim Stathis将探讨p-FET内的NBTI(负偏置温度不稳定性应力)和超薄氧化物。Stathis将汇报IBM研究团队的成果,即氮氧化物内接口状态的能量分布,以及与NBTI引起的阈值电压漂移之间的关系。
关于可靠性问题的全席讨论将围绕新型MOSFET结构和工艺,探讨新型晶体管的热载流子效应和NBTI。三星电子的论文将讨论三门p-FET的NBTI敏感度。
自业界转向铜和低K介电质以来,互连成为引起大量可靠性问题的源头。IBM的一篇论文将讨论SiLK介电质的失效机制,IBM打算在130纳米节点实现SiLK。
ABB以电气问题解决专家之志，回答未来之问。讲述与中国用户携手开拓创新、引领行业发展、推动绿色转型的合作故事，共同谱写安全、智慧和可持续的电气化未来。
12月18日，《AVEVA InTouch Unlimited重塑HMI/SCADA的无限可能》在线研讨会即将开播。
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