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瑞萨科技(Renesas Technology)日前宣布,该公司推出一种新型SRAM存储器单元,与瑞萨公司以前的产品相比,该存储器单元尺寸和功率消耗都有减少,同时减少了软错误率(soft error rate)。
瑞萨公司表示,采用这项SuperSRAM技术、面向移动应用的16Mb低功耗SRAM将进入商业的生产,而32Mb器件也将在一年之内进入商用。
该存储器单元允许构建紧凑型的SRAM,瑞萨公司期待可以代替在移动应用中使用DRAM内核的单晶体类静态随机存取内存(Psuedo SRAM)。SRAM的静态性质可以最大限度减少功率消耗,但SRAM内置过程工艺技术会导致软错误。
superSRAM技术把常规SRAM中的两只负载装载MOS晶体管用两只薄膜晶体管替换,位于其他晶体管之上。它还包括两只圆柱形的DRAM周期电容器。
瑞萨公司宣称,采用0.15微米制造工艺,该存储器尺寸为0.98平方微米。此外,瑞萨表示存储器保持数据的工作电流低于1微安,可以利用现有的工艺技术,这将加快产品的面市时间。
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