应用材料与法国Soitec公司正共同研发锗绝缘基板和相他关键性的锗基板工艺技术,可望应用在45纳米及以下的技术节点上,据称能大幅增进晶体管的性能。根据双方协议,将采用Soitec的Smart Cut及基板专业技术,加上应用材料具备磊晶沉积能力的Centura RP Epi系统,以开发新一代基板。
这项合作的重点是运用Soitec的专利Smart Cut技术发展锗覆绝缘(GeOI)晶圆所需要的锗磊晶层。Smart Cut技术目前广泛运用在先进设计的硅应用,而应用材料的Centura RP Epi系统则可沉积各种程度的锗磊晶薄膜,从100%的锗原素到任何的锗／硅合成,且各种的硅与锗基板设计均可达到最佳化。
在未来的高速逻辑应用上,锗基板材料前景看好。由于锗金属能让电子通过材料时流动加速,且在硅层上使晶体管转换加速三到四倍。日后发展45纳米芯片时代,由于硅受限于体积过大,许多芯片制造商都积极评估运用绝缘上覆锗(GeOI)类型的基板,以提升芯片性能。
应用材料公司则表示,未来芯片制造自45纳米节点起,锗化合物预期将成为先进材料的基层。未来两家公司将共同开发磊晶技术能力,并加速开发展出符合成本效益的300mm绝缘上覆锗(GeOI)生产工艺,进而协助未来绝缘上覆锗(GeOI)基底芯片的量产。
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