台湾地区的工业技术研究院IEK ITIS计划产业分析师陈俊儒日前表示,由于英特尔预测闪存的缩放(Scaling)极限将发生在45??5纳米,未来将产生容量、写入/读取时间与读写次数的限制,这意味着闪存技术瓶颈已开始浮现。因此,许多先进厂商已开始研发FeRAM独领风骚,现有闪存技术可撑至2010年" target=_blank>OUM、FeRAM及MRAM等技术,为非易失性内存市场进行布局。
陈俊儒指出,自2002年起,MRAM内存的专利件数就开始急速成长,逐渐与OUM拉开距离,并于2004年超越FeRAM,是目前研发势态最强的一项技术；在Standalone Memory方面,OUM有机会取代NOR闪存市场,应用在手机产品；MRAM & FeRAM有机会取代LP SRAM市场,应用于便携式装置及工业设备。
另外,在嵌入式内存部份,eFeRAM & eMRAM同时具有非易失性、高性能及嵌入技术容易的特性,若能用于eMemory量产,预期会扩张原有的市场规模。在MCP内存方面,MRAM有机会取代MCP封装的手机内存,未来也有可能与DSP整合。
陈俊儒表示,MRAM近年来在国际上的研发势态比OUM及FeRAM强,而台湾地区在学术界、研究机构及产业界也积极投入MRAM的研发,与国际大厂的落差已拉近到1~1.5年。他建议台湾地区未来更积极投入MRAM使其商品化。在近期的规划,他建议台湾地区可以先投入eMRAM的研发,因为其内存的需求容量不高,嵌入技术较容易,且具有非易失性。
在中期的规划方面,陈俊儒也建议台湾地区朝向提升MRAM存储容量的研发,以取代MCP手机内存的市场。而针对长期的规划,他则建议台湾地区厂商可通过对MRAM的投入以积累自旋电子学的研发能量,为未来发展自旋电子元件而铺路,并为制作超高速演算的“量子计算机”布局。
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