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NEC和NEC电子公司日前宣布,由于在薄膜可靠性研究上取得突破,因此两家公司自信地认为2005年能够在芯片制造工艺中集成高K介电质。
两家公司声称已开发出了一种具备高K门介电薄膜的晶体管,据称能在85℃高温下拥有10年的寿命,这项可靠性指标对于制造器件已完全够用。
NEC研究人员专注研究可靠性和寿命范围,这主要是因为这两项指标是晶体管投入实际应用至关重要的因素,NEC系统器件研究实验室硅器件技术部高级经理Toru Mogami表示。NEC早前曾公布了增加电子迁移率并降低泄露电流的一些步骤。
在0.1微米下,材料的介电常数需要比二氧化硅高,以防止因为门隧道效应发生电流泄露而引起的功耗增加。硅酸铪被认为是很有可能满足要求的候选材料。
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