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NVIDIA采用台积电0.11微米工艺量产绘图芯片

  2004年03月08日  

NVIDIA公司最近宣布,将采用台积电(TSMC)的0.11微米工艺技术来生产新一代的绘图芯片处理器。据称,NVIDIA公司也将成为业界使用0.11微米工艺技术的领先者之一。

台积电表示,其0.11微米工艺技术是以该公司0.13微米技术为基础的微缩版本,将为客户提供高效能工艺以及泛用型工艺两种选择,而此二种工艺都采用氟硅玻璃(FSG)为其介电质。同时,由于台积电在0.11微米工艺上增强了晶体管的工作效能,因此能提供比0.13微米工艺更快的运行速度以及更低的耗电量。

据介绍,台积电于2002年开始开发0.11微米高效能工艺,2003年12月完成工艺验证,相关的设计准则、设计规范、SPICE模型以及静态随机存取内存模型也已开发完成。预期在2004年3月,将完成静态随机存取内存编译器的开发工作。

该公司表示,目前台积电0.11微米高效能工艺已进入量产阶段,良率也已达量产水准。至于泛用型0.11微米工艺,预计将于2005年第一季开始量产。


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