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Hans Stork在国际可靠性物理论坛上发表主题演讲时表示,当他1982年在IBM公司开始其工程师生涯时,业内对可靠性的担心“还微不足道”,离开发新工艺技术的实际行为远不可及。
如今,对可靠性的关注已成为芯片产业的“真正中心”。随着半导体产业向新材料、在同一裸片有多个器件类型的复杂系统级芯片解决方案转移,新的失效模式威胁也随之逼近,现任德州仪器公司CTO的Stork表示。
由于铜和低K介电质集成的困难仍然存在,芯片工业面临另外一个考验是:在关键门绝缘层转向高K介电质。
“我们遭遇的最困难的可靠性问题与门氧化物有关,”Stork声称。基于铪和其它金属的高K氧化物,提出了多重挑战,包括电子迁移率下降、阈值电压偏移及多晶硅门的不兼容性。
另外,TDDB(与时间相关的介电击穿),即随时间材料退化和击穿,是业内必须要解决的另外一个问题。
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