日本瑞萨科技(Renesas Technology)的一位高管表示,由于出现一系列失误,晶圆代工厂商在先进制造工艺竞赛上再度落后于整合器件制造商(IDM)。
在20世纪80年代和90年代初,硅晶圆代工厂商的制造工艺至少比IDM厂商落后三代。但最近几年,台积电(TSMC)和联电(UMC)等晶圆代工厂商极力追赶,在180纳米工艺方面与IDM缩小了距离。
晶圆代工厂商与IDM厂商在130纳米工艺上竞争激烈。瑞萨美国子公司Renesas Technology America Inc.的总裁兼首席执行官Daniel Mahoney表示,尽管如此,IDM开始在130纳米工艺上摆脱晶圆代工厂商的追赶,双方差距将在90纳米及更先进工艺上扩大。“晶圆代工变得更加商品化。”Mahoney表示。“最先进的技术来自IDM。”
他认为,英特尔、德州仪器(TI)和瑞萨等IDM厂商,在制造工艺方面领先晶圆厂。他还表示,IDM总体上比晶圆厂具有重大优势,因为IDM可以同时进行设计和制造。他说,瑞萨自己“在推出产品方面比晶圆代工厂商具有速度优势,比无晶圆厂竞争对手早12-18个月。”
但台积电的全球销售副总裁Kenneth Kin最近表示,日本实际上是在制造工艺方面落后了,而不是晶圆代工厂商落后了。他说:“日本没有抓住130纳米机会。”
Kin认为,在130纳米工艺上被领先晶圆代工厂商超过后,日本芯片制造商正在奋起直追,积极开发90纳米和65纳米制造工艺。
同时,为了满足目前及未来的芯片需求,瑞萨科技计划明年把它的300毫米晶圆厂Trecenti Technologies Inc.产能提高一倍以上。
Trecenti Technologies Inc.已开始了90纳米芯片的试生产。瑞萨也在加快开发65纳米制造工艺,计划在2006年开始量产。其它日本芯片厂商也比较积极。例如,东芝计划在2005年上半年生产65纳米芯片样品。
而台积电则预计将在年底以前全面投产90纳米芯片。台积电在65纳米工艺方面也非常积极,计划在2005年上半年生产样品,预计在2006年实现量产,而且可能提前。
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