在日前举行的台积电(TSMC)2005年技术研讨会上,该公司的高层透露,将为采用90纳米设计规则的工程师提供更多的可制造性设计(DFM)建议(recommendations)。
台积电DFM项目负责人James Wang透露,此次新公布的6条指导建议基于台积电2004年的技术研讨会上所提出的建议,并延伸到了90纳米平台。这6条建议中,部分建议的细节在本次会议上获得批露。
台积电称,其中“最重要的改变”是金属沉积(metal deposition),裸片的金属沉积必须要相对均衡一致,防止进行到化学机械抛光(chemical-mechanical polishing)步骤时出现凹陷和其它问题。
“在批量生产阶段,虚拟填充(dummy fill)建议最为重要,”Wang表示。而新的金属密度规则包括:避免任何非金属区域大于3平方微米。DFM“建议”要保持5平方微米的氧化物区域顶部的金属宽度等于或者大于0.16微米,而DFM“规则”是0.14微米。为了实现较为均匀的金属密度,台积电提供在低金属密度区域使用插入虚拟金属刻线(dummy metal lines)的方法。
而在封装上,该公司提供一个强大的图形评估工具,以消除“热点”。台积电还开发出一种良品率灵敏度分析仪,可以检查通孔、内连和多晶硅开路和短路,以及其它可能的问题。
此外,台积电提供一种光刻工艺检查(LPC)工具,这是一种基于仿真的环境,能进行有可能引起良品率问题的图形设计分析。LPC工艺将晶圆和掩膜检查工具与LPC仿真器链接起来。台积电还改进了其光学逼近校正(OPC)标准,以确保良品率高的“可预测图形”。遵守OPC友好的指示能缩短掩膜制造周期时间达10%。
据台积电发言人透露,有关这些建议的更详细内容登载于“台积电在线”网站,但只有台积电的客户才可以凭密码访问其内容。
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