应用材料(Applied Materials)公司最近发布300mm的Reflexion LK Ecmp系统,这套系统是在应用材料原有的Reflexion LK平台上采用创新的电化学机械平坦化(Ecmp)技术,能在65纳米及往后的铜工艺与低介电常数工艺上提供高效能、符合成本利益和可延伸的解决方案。
新的Reflexion LK Ecmp系统采用三种研磨头优势,整合了Ecmp工艺,并透过电解改变,高速清除(>6,000埃/每分钟)大量铜层,不需仰赖研磨下压压力(downforce)。这种制程对易受损的超低介电常数薄膜是十分理想,可以使铜质双??(dual damascene)结构平坦化,且将浅碟化、氧化物过蚀和缺陷均降至最小(<0.1/cm2)。
另外,新系统也会大幅减小磨耗量的成本,而低成本的电解液也取代了昂贵的铜研浆。所残留薄且均匀的铜薄膜以及阻障层/线层材质,均能以极低的下压压力有效地移除。该公司表示,与传统的铜制程??光系统相比,新产品不但提升25%的生产力,并降低30%的营运成本。
据Dataquest资料显示,2003年的铜工艺化学机械研磨市场总值是2亿3,200万美元,预估至2006年的复合年增长率达37%。应材进一步指出,这项整合在Reflexion LK平台上的Ecmp技术,将让系统延伸至少三个技术世代的有效期,机台无需再作资格确认,进而降低成本。
为促进提升性能,Reflexion LK Ecmp还包含专利整合的iMap径向扫描技术,可提供机台薄膜进入时薄膜厚度的剖面资料,以利精确地控制铜层的清除剖面和终点侦测。增强版的CMP后制程的清洗技术,特别针对清洗低介电常数的疏水性(hydrophobic)薄膜所设计,可补强Ecmp制程,并提供一连串完整的全干燥制程。
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