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据悉,摩托罗拉已经向几家公司推出4Mb磁阻随机存取存储器(magnetic RAM)样片,这表明摩托罗拉公司在MRAM开发处于业界领先地位,预计该公司在2003年底将正式向市场推出样片。
MRAM是有望取代现有存储器的创新技术,现在的运行速度已经接近SRAM。MRAM存储器可以在不供电情况下保持数据不丢失,和闪存和EEPROM存储方式类似。
现在有多种新兴存储技术正处于研发阶段:MRAM利用利用磁荷来储存数据,铁电体存储器(ferroelectric RAM, FeRAM)构造与DRAM相类似,以及polymer存储器,其原料也用于制造液晶屏幕。这些都有望成为现有存储器的替代产品。
摩托罗拉半导体产品部MRAM技术主管Saied Tehrani表示,此次推出MRAM样片表明摩托罗拉将磁阻工艺与0.18微米5层金属CMOS制造处理技术进行了成功的结合。
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