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BAE Systems率先推出0.25微米抗辐射处理工艺

  2003年11月19日  

BAE系统信息和电子系统集成公司日前表示,在花费9,100万美元将所属的晶圆厂技术升级后,该公司已经制造出据称是业界首款0.25微米抗辐射(radiation-hardened)晶体管。

“对于建造未来宇航飞船需要的下一代抗辐射电子产品,这是个非常重要的里程碑。”该公司空间系统和电子部主管George Nossaman表示。BAE Systems已经制造了基于PowerPC的RAD6000抗辐射32位RISC微处理器芯片,该处理器由超过100万个晶体管构成。“随着晶圆厂升级,我们将生产超过1,100万个晶体管的RAD750处理器。”Nossaman指出,RAD750是基于PowerPC 750技术,为RISC架构处理器。

这个晶圆厂的技术升级将在2004年结束,此次技术革新得到了美国国防部加速抗辐射电子研究项目的支持。


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