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“闪存万岁!”这是日前召开的闪存峰会上传出的信息。Semiconductor Insights Inc.内存部门的技术经理Geoff MacGillivary认为,闪存特别是NAND至少还能发展三代,从而在可预见的将来并不需要通用存储(Universal memory)技术。
Geoff MacGillivary表示,“NAND闪存技术至少能够发展到20纳米的“半间距”(half-pitch)节点。这样就推迟了人们对FeRAM、MRAM和OUM等通用存储的需求。通用存储是用于取代闪存的,但该技术目前的发展并没有兑现其承诺。”他指的是最近飞思卡尔关于MRAM出货情况的声明。Geoff MacGillivary指出,“飞思卡尔的MRAM似乎不会与闪存针锋相对,我认为他们说的是嵌入领域。”
OUM(Ovonic unified memory)也被称为相变存储器(phase-change memory)。有一位分析师认为,OUM技术10年内不会实现商业化。Geoff MacGillivary表示,FeRAM将拥有一席之地,但似乎没有达到人们的期望水平。
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