摩托罗拉公司半导体实验室构建出全球首枚晶体管,有可能制造出尺寸更小、功耗更低的芯片。该晶体管名为Multiple Independent Gate Field Effect Transistor或MIGFET,允许一枚晶体管包含多个独立门。
这种晶体管门结构的设计是利用现有的半导体制造工艺,在更小空间内包含更强计算能力,并减低功耗。
传统晶体管机构是在水平面上构建一个门或者一个位置,记录构成所有数字信息基石的开/关和0/1状态。半导体工业曾经研制过垂直双门晶体管,试图以这种方式在更小空间内获得更强大计算能力。
迄今为止,这些实验性结构大多数都受到限制,因为两个门产生了电气连接。尽管这些结构将比现有平面器件提供额外的改进性能,摩托罗拉在纳米级硅片的多边上形成单门,超越了以往技术。在此突破上,摩托罗拉对门结构进行了电气绝缘,每一个门分别受自己的电压控制。
这使以下功能扩展成为可能:更低的功耗,芯片设计师能使用双门或单门关断器件,以动态控制所消耗的功率；-更快速处理速度,芯片设计师能采用单晶体管执行当今由许多晶体管互连所完成的复杂逻辑功能；更小型化电路,采用这种垂直结构,芯片设计师能在较小空间内集成更多功能。此外,两个独立门能构成基础电路。
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