Actel公司最近宣称,一项第三方研究结果证实,以Flash和反熔丝技术为基础的现场可编程门阵列(FPGA)具有抗配置翻转的免疫能力,这翻转是由地球大气层中自然产生的高能量中子引起的。该研究还确定以SRAM为基础的FPGA不仅象传统观念那样,在高空环境中易于发生中子引致的配置损耗,而且在地面级应用中也会发生,包括汽车、医疗、电信,以及数据存储和通信领域。
据称,有关测试遵循业界指定的JESD-89测试方法,由iRoC Technologies于2004年2月在美国新墨西哥州洛斯阿拉莫斯国家实验室(Los Alamos National Laboratory) 的中子科学中心进行。
iRoC Technologies美国运营总监Olivier Lauzeral称:“iRoC使用相同的测试步骤、测试仪器和中子源,来测试不同技术的现场可编程器件。作为第三方测试机构,我们确定SRAM技术较其它经测试的技术,更易于遭受软错误攻击。当高能量中子侵入存储单元,如以SRAM为基础可编程器件所用的那些,器件极有可能出现功能故障,并且以无法预知的状态运作。这对于我们常用的系统非常不利,包括电话网络、汽车安全气袋、医疗器材,甚至军事和太空设备等。”
据介绍,测试结果显示,以反熔丝和Flash为基础FPGA在中子轰击下未有出现配置损耗,而以SRAM为基础FPGA则出现FIT(时间延续故障),范围由海平面的1,150至5,000英尺高度的3,900,以至60,000英尺高度的540,000。一个FIT的定义为在109小时内出现一次错误。一般集成电路的FIT几率为100以下,至于高可靠性应用所要求的FIT机率为10至20。
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