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飞利浦公司的科学家最近演示了一种技术,可以在同一片塑料上制造既传导正空穴又传导负电子的场效应晶体管。
采用互补晶体管,即电子传导电流的n型晶体管沟道和主要由空穴传输电荷的p型沟道,来实现电路的能力,是互补金属-氧化物-半导体(CMOS)集成电路的基础。CMOS技术使电子电路可以具有高可靠性、低功耗和优良的噪声容限。
但是不幸的是,到目前为止,有机半导体只能流动一种类型的电荷。飞利浦表示,其原因是由于有机半导体相对较大的带隙,使来自金属源极和漏极电极的电子或空穴注入具有较高的能量势垒。
因此,CMOS类型的电路只能通过复杂的材料工艺来实现n型和p型晶体管,而不能采用低成本的旋转涂敷或大面积印刷来实现。
现在飞利浦的科学家采用两种不同的方式实现了突破。在第一种方式中,他们采用一种p型和n型混合材料,并使用金质源和漏电极。这就在这种单层材料内实现了双极传导,与此同时,电荷注入势垒问题也通过与低能量电子注入势垒材料和孔穴注入材料相混合得到了解决。
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