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最近在荷兰Veldhoven举行的财务分析师会议上,ASML Holding NV公布了其最新的光刻技术发展蓝图。根据ASML市场和技术执行副总裁Martin van den Brink在会上所作的报告,对于将于2004年第四季度交付的设备来说,低NA(NA=0.85) 193纳米沉浸光刻技术的决定时间仍旧是2003年第四季度。
预期第二个决定点为2004年中,适用于NA大于0.85的干式(dry)157纳米光刻技术,NA大于1的157纳米沉浸光刻技术和系统NA大于1的193纳米沉浸(immersion)光刻技术。报告中预期所有三种系统都将于2006年交付客户。
报告中并没有说明AT:1150i是否是沉浸光刻技术的原型机。van den Brink推断,低k和沉浸技术很可能延长193纳米波长光刻技术的寿命期。他表示,“Immersion将很可能推迟157纳米和EUV技术的面市,延长193纳米技术的寿命。预期到2004年底有资质的客户可以将这一技术应用到产品之中。”
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