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在日前举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,AMD公司为公司下一代绝缘硅(SOI)晶体管设计提供了更多的技术细节,这项技术将用于设计微处理器。
AMD公司的晶体管设计使用三个栅极电路和45纳米工艺技术,该栅极长度还可以下降到20纳米甚至更低。这种晶体管不使用高K门电介质材料,据AMD公司表示,这类材料已经在性能方面显示出负面效果。
这种晶体管将采用AMD公司的下一代基于镍硅化合物的绝缘硅门电路,该技术称为“locally strained channel”技术。AMD公司工艺技术开发副总裁Craig Sander表示,“下一代SOI晶体管设计中有AMD公司多项最重要的技术创新。”
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