台积电与飞思卡尔合作开发SOI技术,瞄准65纳米CMOS工艺

台积电(TSMC)日前宣布,已和飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)签订合约,双方将共同开发新一代的绝缘层上覆硅(SOI,或称绝缘硅)高性能芯片前端技术,并以开发65纳米的互补金氧半导体(CMOS)制程技术为目标。在这项合约中,同时包含了飞思卡尔公司将其90纳米绝缘硅技术授权予台积电公司用于制造产品。

台积电研究与发展副总经理杨平表示,飞思卡尔公司在绝缘硅技术有宝贵的经验和专业技术,而在专业集成电路制造服务领域,台积电在包括绝缘硅技术等先进工艺发展上也占有领导地位；结合双方的长处,将使共同开发的绝缘硅技术更具竞争优势。

飞思卡尔公司首席技术官Claudine Simson表示,该公司为客户提供高效能绝缘硅产品已有四年的时间。此外,台积电长期以来一直是飞思卡尔公司在专业集成电路制造服务上的优良供货商,同时,台积电亦与飞思卡尔,飞利浦及意法半导体在法国Grenoble附近的Crolles结盟合作发展工艺技术,因此,飞思卡尔公司与台积电长期以来维持十分良好的伙伴关系,并期待能与台积公司共同开发65纳米绝缘硅高性能芯片技术。

台积电公司和飞思卡尔公司个别单独投入绝缘硅技术的发展,均已有数年的时间。飞思卡尔公司自1980年代中期起迄今已成功开发出三代的绝缘硅技术,并于2001年开始生产绝缘硅产品,相关产品出货量已超过700万颗,目前更在美国德州奥斯汀的Dan Noble Center建立90纳米互补金氧半导体工艺绝缘硅技术的平台,以生产新一代的高性能网络传输与计算产品。台积电则自1990年代后期起从0.13微米工艺开始自行开发绝缘硅技术,并在绝缘硅组件及静态随机存取内存(SRAM)电路元的开发上有卓越的成果。

透过此项合作计划的推动,双方将共同开发65纳米绝缘硅工艺的前端技术,将可加速相关产品的上市时程,并拓展此技术在不同市场的创新应用。同时,双方将各自针对其客户不同的应用,发展相关后段金属化的制造技术。其中,台积电将以其设于台湾的十二英寸晶圆厂为其客户提供制造服务,用以生产强调快速及高性能的网络传输与计算等相关产品。此外,台积电也将开发低耗电的工艺,以提供移动式应用产品更多的选择。飞思卡尔公司则计划将此项技术移转到该公司与飞利浦及意法半导体所合作的法国Crolles2 研发及试产基地。

绝缘硅(SOI)工艺技术可使芯片运作的速度比单纯的只采用传统的互补金氧半导体基体(bulk CMOS)更快,尤其适合应用于更高速度以及兼具省电要求的产品。此外,这项技术亦适用于低耗电的产品应用。