台湾地区旺宏电子股份有限公司(Macronix International Co. Ltd.)与以色列的Saifun Semiconductors Ltd.已达成协议,将合作开发利用130纳米工艺生产每单元4-bit的闪存产品。两公司的工程师将在Macronix位于台湾新竹的Fab2工厂开展工作。
两公司表示,它们将在Saifun内存技术的基础上开发每个内存单元具有两个位元位置(bit site)(多位)的闪存产品,以及每个内存单元具有两层和两个bit site(多层)的闪存产品。后者将在每个内存单元中具有4-bit的存储容量。
旺宏电子正在提高其NBit闪存产品线的产量,该产品基于Saifun的NROM技术。两公司于2000年签署了相关的技术授权协议。
“我们将在2005年推出基于130纳米MLC闪存技术的产品,旺宏计划在快速增长的闪存市场获得可观的市场份额,包括代码存储与数据存储应用。”旺宏电子的资深副总裁C.Y. Lu在声明中表示。
2003年10月,有报导称Macronix正与瑞萨科技(Renesas Technology)合作开发高密度闪存。
(作者: Peter Clarke 翻译:张涛)
京公网安备 11011202001138号
