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比利时研究机构IMEC基于45nm“三门(triple-gate)”FinFET型三极管,设计了一款6晶体管的SRAM单元,据称这是迄今最小的SRAM单元。IMEC称,这一工作存储单元的面积为0.314平方微米。
此SRAM单元工作在1.0V时获得的静态噪声容限为240mv,且电压降到0.4V仍可正常工作。此外,IMEC称,这款SRAM单元也适合32nm的加工工艺。IMEC的研究人员是在召开于旧金山的国际电子器件会议(IEDM)上发表了一篇关于此器件的文章。
诸如多门FET(MuGFET)的非平面器件结构逐步成为45nm以下节点的选择,这是由于它们与传统规模的晶体管相比具有改善的电流密度、降低的短通道效应和改善的门控制。
在SRAM单元中实现的MuGFET具有70nm高的硅fin,比目前典型FET高出40nm,从而增加了电流密度。这种晶体管具有40nm长、35nm宽fin的物理门。此器件单元采用了镍硅源/漏极来降低接触阻抗,并采用了Black Diamond低K金属材料上的铜片完成。的过孔。
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