德州仪器公司(Texas Instruments)最近宣布,该公司的半导体研究组已经开发出具有成本效益的技术以大幅度减少芯片耗电量,并通过新途径提高整体性能。
据介绍,德州仪器的新型管理技术能够减少备用晶体管的电源泄漏达1000因数,而独特的应变硅(strained silicon)技术能够将晶体管性能提高35%。
该公司的研发人员正在研究嵌入式SRAM低耗散技术,据称能将晶体管的功耗降低到300X。TI公司计划把65纳米工艺用于密集型嵌入式SRAM产品中,一个单元的六只晶体管只占用少于0.5平方微米的尺寸,而150万门电路也只占用一平方毫米的空间。
TI公司也打算用trained-silicon技术把驱动电流提高35%,该公司把SiGe放置在离晶体管通道更近的地方,以达到在最大的应变情况下最小的出错。
这些研究成果于最近在夏威夷的超大型集成电路技术会议(Symposium on VLSI Technology)上发表在两篇技术性论文中。
德州仪器首席技术官Hans Stork博士表示:“德州仪器制造的芯片涉及电池供电消费产品以及高端服务器微处理器。该技术将在不对成本产生消极影响的基础上促进低耗电量与高性能相结合。”
京公网安备 11011202001138号
