英特尔推出90纳米工艺NOR闪存,体积减小50%

在日前于美国旧金山召开的英特尔信息技术峰会(IDF)上, 英特尔公司推出了全球第一款采用90纳米制造工艺生产的NOR闪存产品——英特尔无线闪存。据称该款产品是英特尔发展的第九代闪存技术,将保留无线手持设备制造商所要求的高性能闪存特性。

在英特尔信息技术峰会的主题演讲中,英特尔执行副总裁马宏升(Sean Maloney)表示,采用90纳米制造工艺生产的英特尔无线闪存的晶片尺寸大小比前一代闪存的晶片要小50%左右,这将有助于降低成本,同时成倍提升英特尔的制造能力,以满足客户的需求。

第一个采用90纳米的闪存产品将为单比特每单元(single-bit-per-cell)产品,今年晚些时候将推出采用英特尔多层单元(MLC)技术的产品,它可在一个单元中容纳两倍的信息量。

“英特尔无线闪存是当今面向无线应用的最高性能的解决方案。” 英特尔闪存产品集团副总裁Tom Lacey表示:“它在一种产品中融合了四项创新:1.8伏的低工作电压、直接代码执行(execute-in-place,现场执行)、增强型工厂编程、以及单芯片双代码和数据存储。”

英特尔表示,采用90纳米制造工艺生产的无线闪存是英特尔堆叠式芯片尺寸封装(Stacked-CSP)产品系列的最新成员。通过提供通用封装引脚(pin out)和不同密度的英特尔闪存软件解决方案,可以实现堆叠式闪存集成和更新,使设计人员能够在更小的空间内设计更多的内存。英特尔将其高密度闪存产品与灵活的内存选件结合,可在8×11毫米的微小封装空间内提供高达1 Gb的存储密度。

据悉,采用90纳米制造工艺生产的英特尔无线闪存将于四月发布密度为64Mb的样品。预计从今年第三季度开始批量生产。以10,000件为批量的建议单价为10.26美元。英特尔计划于今年后期推出采用90纳米制造工艺的多级单元(MLC)英特尔StrataFlash无线内存。这些MLC设备将包括256 Mb和512 Mb等不同密度,并将提供不同的堆叠配置。