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IBM公司与Molecular Imprints Inc.(MII)正合作开发介电材料,以推动面向主流芯片制造的纳米压印光刻(nano-imprint lithography)技术的开发。这是MII联合创始人兼美国德州大学化学工程系教授Grant Wilson日前在SPIE微光刻研讨会上透露的。
Wilson表示,IBM和MII正合作开发一种旋涂玻璃(spin-on glass),也称“photo-imagable”介电质,这种材料用于纳米压印光刻的后端线(back-of-line,BEOL)加工。这表明纳米压印光刻又有了新的应用空间。目前该技术主要用于MEMS制造、存储媒体和相关应用。
MII在SPIE上发表了一篇论文,题为《面向双大马士革(dual damascene)加工的直接介电材料压印技术》。在论文中,MII声称,与传统光刻技术相比,纳米压印光刻能减少双大马士革芯片制造1/3的工序。
“通过采用带两层图形的印刷模板,一个压印光刻工序就替代了两个光刻工序。”MII论文称。“如果印刷光阻材料采用功能介电材料,效率还有可能进一步提高。”
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